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MFLPECVD408-12是一款PECVD系統的管式爐系統。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統、真空系統組成。 最高溫度可以達到1200度，采用30段程序溫控儀表，K型熱電偶，爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。
1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。
5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
設備型號 | MFLPECVD408-12 | |
管式爐 | 控溫范圍 | 室溫-1200℃ |
工作溫度 | ≤1100℃ | |
| 加熱區長度 | 400mm | |
| 石英管 | 直徑 80mm，長 1400mm (管徑可選 50， 60 ，100) | |
控溫精度 | ＜1000 ±0.1℃ ； ≥1000±1℃ | |
恒溫波動 | ±1℃（測試點為1000℃） | |
升溫速度 | 推薦1000度以下≤10℃/min，最快升溫速度≤30℃/min | |
降溫速度 | 700℃以上≤10℃/min | |
爐表溫度 | 爐體表面溫度小于室溫+10（測量點為1000℃） | |
| 測溫元件 | K型熱電偶 | |
| 控溫模式 | 模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 | |
| 電壓功率 | 220V 3KW | |
供氣系統
| 氣路通道 | 4路 |
| 氣路流量控制 | 質子流量控制器（七星流量計） | |
| 控制精度 | ±1.5%F.S | |
| 重復精度 | ±0.2%F.S | |
| 流量范圍 | 1-500 SCCM | |
| 機械壓力表 | 一塊機械壓力表在面板，和混氣灌連接量程：-0.1～0.15 Mpa | |
真空系統 方案一（低真空：機械泵）
| 電源 | 220V |
| 極限真空度 | 5X10-1 Pa | |
| 抽氣速率 | 2升/每秒 | |
| 真空擋板閥 | KF25 | |
| 型號 | VRD-8 | |
| 電機功率 | 0.4KW | |
真空系統 方案二（高真空：機械泵+分子泵機組）
| 型號 | GZK-16-600 |
| 電源 | AC100-240 50/60HZ | |
| 功率 | 1KW | |
| 重量 | 25KG | |
| 極限壓強 | 1.0*10-4Pa | |
| 進、排氣接口 | KF40 | |
| 冷水機最大流量 | 10L/MIN | |
| 真空計 | 復合真空計 | |
| 真空控制精度 | ± 1% | |
| 真空計測量范圍 | 1.0x10 - 1.0x10-5pa | |
電源 （等離子體發生器）
| 功率輸出范圍 | 0-500W |
| 功率穩定度 | ≤±5W | |
| 工作頻率 | 射頻：13.56MHZ±0.005% | |
| 匹配方式 | 自動 | |
| 冷卻方式 | 風冷 | |
| 噪聲 | <50dB | |
安全 | 工作環境 | RT±5-40℃ |
使用保障 | 開門斷電 超溫報警 漏電保護 過溫保護 | |
管式爐 | 一臺 | |
出廠清單 | 真空系統 | 一套 |
供氣系統 | 一套 | |
射頻電源 | 一套 | |
高溫手套 | 卡斯頓一雙 | |
爐勾 | 一把 | |
氣管 | 一根 | |
設備說明書 | 一份 | |
儀表說明書 | 一份 | |
保修卡 | 一份 | |
選購品 | 移動爐架 | 不銹鋼 |
觸摸屏智能儀表 | 50段編程，可實現與計算機連接。通過專用的計算機控制系統來完成與單臺或多臺電爐的遠程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能。 | |
注：管徑可選：50/60/80/100/120/150/200/300 mm ,
溫區可以做雙溫區，三溫區等多溫區，
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